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英文字典中文字典相关资料:


  • 我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术-西安电子科技大学学术网
    此外，在发表的概念验证工作中，该研究团队制备的超陡垂直晶体管表现出强大性能，包括电流开关比高于8个数量级、亚60mV dec电流区间超过6个数量级、漏电流小于10fA等，为后摩尔时代高性能低功耗晶体管技术提供了一种新的方案。
  • 科研人员研发出互补单晶硅垂直沟道晶体管架构 - 中国科学院
    近日，中国科学院微电子研究所研究人员基于自主研发的垂直沟道技术，研发出优于互补场效晶体管架构（CFET）的单片集成互补垂直沟道晶体管结构（CVFET）。 该架构制造工艺采用与CMOS制造工艺兼容的双侧面技术，通过两步外延工艺分别控制纳米片沟道厚度和栅极长度，实现n型和p型纳米片晶体管的上下堆叠和自对准一体集成。 CVFET具有如下电学特性：上下层器件亚阈值摆幅分别为69 mV dec和72 mV dec，漏致势垒降低分别为12 mV V和18 mV V，电流开关比分别为3 1×10 6 和5 4×10 6。
  • 微电子所研发成功互补单晶硅垂直沟道晶体管（CVFET）
    CFET技术通过将NMOS与PMOS器件垂直堆叠，改变传统平面工艺或FinFET GAA的水平布局模式，在更小的空间内实现更高的集成密度和更佳的性能。 近日，微电子所基于自主研发的垂直沟道技术，提出和研制出一种单片集成的互补垂直沟道晶体管结构（CVFET）。
  • 我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术-西安电子科技大学新闻网
    此外，在发表的概念验证工作中，该研究团队制备的超陡垂直晶体管表现出强大性能，包括电流开关比高于8个数量级、亚60mV dec电流区间超过6个数量级、漏电流小于10fA等，为后摩尔时代高性能低功耗晶体管技术提供了一种新的方案。
  • 我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术—新闻—科学网
    这一技术通过将电流从传统MOSFET的平面方向转换为垂直方向，使该器件结构有望在芯片上垂直构造晶体管，从而大幅降低器件占有空间，提高集成密度。 受此启发，刘艳教授和罗拯东副教授采用超薄二维异质构造VTFET半导体沟道并与电阻阈值开关（TS）垂直集成，实现超陡垂直晶体管（TS-VTFET）。 这一器件技术借助超薄二维半导体出色的静电调控，在大幅提升器件栅控能力的同时，借助电阻阈值开关的电压控制“绝缘-导电”相变特性，使该器件的室温亚阈值摆幅达到1 52mV dec，远低于常规MOSFET室温亚阈值摆幅高于60mV dec的理论极限。
  • 中国团队成功研制1nm物理沟道长度垂直晶体管，芯片性能或将进入新纪元 - 知乎专栏
    答案是：有的，但要使用一种革命性的全新晶体管结构——垂直结构晶体管。 垂直结构晶体管的诞生，得益于近年来 范德华异质结 领域的持续进展。 这种横空出世的新结构，为半导体行业继续延续“ 摩尔定律 ”注入了全新的思路。
  • 先进工艺节点的发展历程与新型晶体管结构 - 知乎
    随着技术节点的缩小，垂直晶体管堆叠，如互补场效应晶体管（CFET）、3D堆叠晶体管（3DS FET）和垂直通道晶体管（VFET），成为维持IC发展的革命性缩放方法。 自1947年晶体管发明以来，集成电路（IC）和CMOS技术迅速发展，推动了计算机、互联网和移动通信等领域的重大进步。 IC遵循 摩尔定律，晶体管的尺寸不断缩小，性能不断提升。 然而，随着工艺节点缩小至22纳米以下，传统几何缩放面临限制，FinFET和GAAFET等新结构应运而生，提高了电性能和集成密度。 未来，垂直通道GAA晶体管、CFET等新技术将继续推动IC的发展，同时新材料和量子计算等创新也将在提升计算效率方面发挥重要作用。 摩尔定律：摩尔定律预测，每平方厘米的集成CMOS晶体管数量每两年翻一番。
  • 研发出一种超陡垂直晶体管技术 - 科学网
    一些研发机构推出了垂直输运场效应晶体管（VTFET）器件技术，这一技术通过将电流从传统MOSFET的平面方向转换为垂直方向，使器件结构有望在芯片上垂直构造晶体管，从而大幅减少器件占有空间，提高集成密度。 受此启发，刘艳等研究人员采用超薄二维异质构造VTFET半导体沟道并与电阻阈值开关（TS）垂直集成，实现超陡垂直晶体管。 这一技术借助超薄二维半导体出色的静电调控，大幅提升了器件栅控能力；同时，借助TS的电压控制“绝缘-导电”相变特性，该器件的室温亚阈值摆幅达到1 52mV dec，远低于常规MOSFET室温亚阈值摆幅60mV dec的理论极限。
  • 中国团队披露新型晶体管，VLSI 2025亮点回顾_FlipFET_单元_工艺 - 搜狐
    该工艺预计将于 2025 年下半年投入量产。 该节点将 Gate-All-Around 晶体管与 PowerVia 背面供电网络相结合，形成了一种全新的金属堆叠架构。 通过将电源布线到芯片背面，英特尔能够缩小关键层的互连间距，同时放松顶层的间距，从而提高良率并简化制造流程。
  • 西电郝跃院士在超陡垂直晶体管器件研究方面取得进展_凤凰网
    近日，西安电子科技大学郝跃院士团队刘艳教授和罗拯东副教授在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展，相关研究成果以“Steep-Slope Vertical-Transport Transistors Built from sub-5 nm Thin van der Waals Heterostructures”为题发表于《自然•通讯》。 该工作报道一种新型晶体管器件技术，将电阻阈值开关与垂直晶体管进行集成，实现了兼具超陡亚阈值摆幅与高集成密度潜力的垂直沟道晶体管，电流开关比超过8个数量级且室温亚60mV dec电流范围超过6个数量级，为后摩尔时代高性能晶体管技术提供了一种新的器件方案。





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